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GB10b60kb Transistor Bipolar

Hoja de datos: GB10B60K

Disponibilidad: 4 disponibles

SKU: 0409 Categoría:
Características:
• Tecnología IGBT sin perforación de bajo VCE (activado).
• VF de diodo bajo.
• Capacidad de cortocircuito de 10 µs.
• Cuadrado RBSOA.
• Características de recuperación inversa de diodos ultra suaves.
• Coeficiente de temperatura VCE positivo (activado).

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