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K12A50D Silicon N Channel MOS Type

Hoja de datos: K12A50D.pdf

Disponibilidad: 1 disponibles

SKU: 2113 Categoría:

Features:

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.45 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V)
• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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