Porque mereces el mejor servicio!

P539D Insulated Gate Bipolar Transistor Original 600V 10A

Hoja de datos: P539D.pdf

Disponibilidad: 3 disponibles

SKU: 0025 Categoría:
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Maximum Junction Temperature Rated at 175°C

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Solo los usuarios registrados que hayan comprado este producto pueden hacer una valoración.